半导体研发大楼
研究领域
聚焦宽禁带半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，发展了以下研究方向：半导体照明技术应用与开发；基于第三代半导体的可见光通信、功率电子器件、光伏器件等技术研发；半导体工艺设备国产化关键部件开发等。
应用范围
第三代宽禁带半导体具有高稳定性、高功率密度、高工作频率、低能量损耗等优势，可以广泛应用于各个领域，包括电子设备，半导体照明、新能源汽车、风力发电机、飞机发动机、导弹、卫星等。
水平地位
国内第三代宽禁带半导体材料研究的重要基地，国内少数拥有完整半导体工艺链的研究平台之一。在第三代半导体材料外延生长、芯片工艺等的技术水平居国际先进地位。
4-1450℃高温MOCVD(96dpi)
感应耦合等离子刻蚀设备
主要成果
近两年来承担、参与了包括国家重点研发计划等40余项科研项目；申请发明专利22项；发表SCI/EI论文多篇；参与制定国家、行业标准7项；开发多项LED创新应用产品；牵头制定广东省可见光通信及标准光组件产业技术路线图；依托本院成立了宽禁带半导体领域首个全国性专业委员会：中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会。
