.
新品亮点：图形化复合衬底（简称MMS）在GaN与蓝宝石间引入低折射率SiO2材料以实现高折射率差界面，有利于改变LED内部光子的传输方向，增大导波模式转换为出射模式的几率，从而提高LED器件出光效率。由于直接在AlN薄膜层进行类同质外延生长，节省了异质外延过程中的缓冲层生长时间和热循环周期升降温时间，有利于减少GaN材料的MOCVD外延生长时间，提高生产效率，降低生产成本。图形化复合衬底的类同质外延有利于降低GaN材料的位错密度改善晶体质量，提高LED的内量子效率。经大量外延器件验证，基于图形化复合衬底的相应LED芯片亮度相对传统图形化蓝宝石衬底上LED的芯片亮度提升5%-10%。
有意向对接本场新品的朋友，可扫描下方二维码，或登录http://gdsme888.mikecrm.com/28bHpj5留下您的联系方式和对接意向。
